铜溅射靶材在半导体集成电路中具有重要地位，14nm以上半导体采用高纯铜溅射靶材，14nm 以下半导体采用高纯铜合金溅射靶材。华赐科技的高纯铜材料因其材料纯度高、电阻很低，对芯片集成度的提高非常有效。通常靶材为多晶结构, 晶粒大小可由微米到毫米量级。同一成分的靶材, 细小尺寸晶粒靶材的溅射速率要比粗晶粒快; 而晶粒尺寸相差较小的靶材, 淀积薄膜的厚度分布也较均匀。

溅射靶材具有高纯度、高密度、多组元、晶粒均匀等特点，一般由靶坯和背板组成。靶坯属于溅射靶材的核心部分，是高速离子束流轰击的目标材料。靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。由于高纯度金属强度较低，因此溅射靶材需要在高电压、高真空的机台环境内完成溅射过程。超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，且需要具备良好的导电、导热性能。

高纯铜键合丝，主要用于半导体芯片封装引脚连接，包括集成电路,大型积体晶片和晶体管，满足不同类型的包装，如 DIP、SIP、QFP和 BGA的封装。高纯铜键合丝常以华赐科技的高纯电解铜板为原料，经真空熔化后拉制成不同规格尺寸键合丝。高纯铜导电率高，支持高速信号，优异的力学性能和加工性能。对比金丝在满足需求的情况下，显著降低成本，成为市场主要的键合丝材料。